NF-κB2 p100/p52 Antibody [D6C15]

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生物描述

特异性 NF-κB2 p100/p52 Antibody [D6C15] 可检测内源性 NF-κB2 p100/p52 总蛋白水平。
背景 NF-κB2 p100/p52 在非经典 NF-κB 信号通路中既是胞质抑制因子,也是成熟的 DNA 结合亚基。p100 的前体合成时具有 N 端 Rel 同源结构域 (RHD),用于 DNA 结合和二聚化;其 C 端富含锚蛋白重复序列,功能上模拟 IκB 蛋白。p100 将 RelB 隔离在胞质中,防止基因过早激活。当受到某些 TNF 家族配体(例如 LTβ 或 BAFF)刺激时,非经典通路被激活,导致 NIK 积累和 IKKα 激活,IKKα 磷酸化 p100 C 端加工基序内的特定丝氨酸残基。这种磷酸化事件标记 p100,使其抑制性 C 端部分被蛋白酶体降解,从而生成成熟的 p52 亚基。由此形成的RelB/p52异二聚体转位至细胞核,并与κB DNA位点结合,启动参与淋巴器官发生、B细胞存活、浆细胞分化和适应性免疫的基因转录。与通过IKKβ快速激活p50/RelA的经典通路不同,非经典的p100/p52轴对特定免疫过程进行更缓慢、更严格的调控。p100加工的紊乱或影响RelB结合的突变可导致p52活性异常,进而引发淋巴系统恶性肿瘤、自身免疫性疾病和病理性炎症。

使用信息

抗体应用 WB, IP 稀释比例
WB IP
1:1000 1:200
反应性 Human, Mouse, Rat
抗体类型 Rabbit Monoclonal Antibody MW 120 kDa , 52 kDa
储存液配方 PBS, pH 7.2+50% Glycerol+0.05% BSA+0.01% NaN3
储存条件
(自收到货起)
-20°C (avoid freeze-thaw cycles), 2 years
WB
实验步骤:
 
样品制备
1. 组织样品:破碎组织,加入适量冰冷的 RIPA/NP-40 Lysis Buffer (含蛋白酶抑制剂Cocktail),低温匀浆。
2. 贴壁细胞样品:吸去培养基, 用冰冷的 PBS 清洗细胞 2 遍。加入适量冰冷的 RIPA/NP-40 Lysis Buffer (含蛋白酶抑制剂Cocktail),冰上静置裂解 5 min。
3. 悬浮细胞样品:将培养基转移至离心管中离心,弃上清,用冰冷的 PBS 清洗细胞 2 遍。加入适量冰冷的 RIPA/NP-40 Lysis Buffer (含蛋白酶抑制剂Cocktail),冰上静置裂解 5 min。
4. 将所得匀浆液/裂解液置于离心机中 4°C 离心 15 min,收集上清液;
5. 取少量裂解液测定蛋白质浓度;
6. 加入蛋白上样缓冲液,将 20 µL样品在 95~100°C加热 5 min,冰上静置冷却后离心 5 min。
 
电泳分离
1. 根据所提蛋白的浓度,将适量蛋白样品和 Marker 上样至 SDS-PAGE 凝胶。建议分离胶(即下层胶)浓度:10 %。 SDS-PAGE 分离胶浓度选择参照表
2. 电源调 80 V, 30 min。然后电源调 110 V~150 V,观察 Marker,待蛋白所在的预染蛋白 Marker 指示带得到合适的分离后,即可停止电泳。(注意电泳时电流切勿过大,如超过 150 mA 会导致温度上升,容易影响跑胶结果。如无法避免采用大电流,可对电泳槽使用冰浴降温。)
 
转膜
1.拿出电转槽,把夹子和耗材浸泡在预冷电转液中;
2.用甲醇活化 PVDF 膜 1 min,用转移缓冲液冲洗;
3.按照“夹子黑边-海绵-滤纸-滤纸-胶-PVDF膜-滤纸-滤纸-海绵-夹子白边”的顺序安装好;
4.将蛋白电转移至 PVDF膜上。(推荐采用 0.45 µm PVDF 膜) PVDF 膜孔径规格选择参照表
湿转法参考条件:200 mA, 120 min
(注意电转条件可根据蛋白大小适当调节,分子量大的蛋白适宜采用大电流,并延长转膜时间,但需要确保电转槽始终处于低温的环境中,避免凝胶融化。)
 
封闭
1. 电转移后,室温下用 TBST 洗膜 5 min;
2. 在封闭液中将膜孵育 1 h,室温;
3. 用 TBST 洗膜 3 次,每次 5 min。
 
抗体孵育
1. 用 一抗稀释液配制一抗工作液(建议一抗稀释比 1:1000),4°C 条件下与膜轻柔摇晃孵育过夜;
2. 用 TBST 洗膜 3 次,每次 5 min;
3. 在封闭液中加入二抗,室温条件下与膜轻柔摇晃孵育 1 h;
4. 孵育结束后,用 TBST 洗膜 3 次,每次 5 min。
 
显色
1. 加入配制好的 ECL 发光底物(或根据二抗选择其他显色基质)混合均匀;
2. 与膜孵育1 min,去除多余底物(需保持膜湿润),置于显影仪中进行曝光。
 

Application Data

WB

Validated by Selleck

  • Lane 1: 3T3, Lane 2: C2C12, Lane 3: L929, Lane 4: YB2/0